张源涛，吉林大学教授、博士生导师，教育部新世纪人才，中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会委员。曾长期在德国和日本从事宽禁带半导体科学研究工作。2006年2月至2007年2月，德国德累斯顿工业大学应用物理研究所洪堡学者。2008年8月至2010年3月日本东北大学金属材料研究所JST-CREST研究员。2010年4月至2012年5月日本东北大学金属材料研究所日本学术振兴会外国人特别研究员。
1、氮化物半导体材料的外延生长、物理特性及相关光电子器件研究。该方面工作主要是利用从德国AIXTRON公司购入的一台价值超百万美元的氮化物生长用金属有机物化学气相外延设备，开展氮化物半导体材料的外延生长、材料物理特性及相关光电子器件（发光二极管、激光器等）和电子器件（高电子迁移率晶体管等）研究。
2、氧化锌材料的外延生长、物理特性及应用研究。该方面研究工作主要是利用自主设计的金属有机物化学气相外延系统在不同衬底材料上生长氧化锌薄膜，制备各种氧化锌基异质结光电子器件，并对可能影响掺杂稳定性的因素进行物理研究。
3、新型光电子器件研究。该方面工作主要是开展石墨烯、碳纳米管和无机钙钛矿等新颖材料与宽带半导体材料结合研究，构筑新型光电子器件。
2014/09至今，吉林大学，电子科学与工程学院，教授
2008/09u20132014/09，吉林大学，电子科学与工程学院，副教授
2005/09u20132008/09，吉林大学，电子科学与工程学院，讲师
2010/04u20132012/04，日本东北大学，金属材料研究所，日本学术振兴会外国人特别研究员
2008/08u20132010/03，日本东北大学，金属材料研究所，日本科学技术振兴机构核心项目研究员
2006/02u20132007/02，德国德累斯顿工业大学，应用物理研究所，洪堡学者
（1）新世纪优秀人才，教育部，2013年10月。
（2）日本学术振兴会研究基金，日本学术振兴会，2010年4月。
（3）洪堡基金，德国洪堡基金会，2006年2月。
（4）吉林省科学技术进步二等奖，吉林省科技厅，2004年。
